单晶简介




本公司采用化学气相沉积方法外延生长,获得了厚度2mm以上的高纯度金刚石单晶。经检验,样品颜色和净度均可达到宝石级水平,通过工艺参数的优化,单晶生长速率可达30um/h,抛光后样品厚度公差可达±0.05mm,晶向偏差±2°,表面粗糙度Ra<30nm。

上一篇: 915MHz高功率MPCVD装置介绍
下一篇: CVD金刚石膜窗口材料的制备
冀ICP备07503481号-1

分享到