DC Arc Plasma Jet CVD金刚石设备是在国家“863”计划的重点资助下完成的。该设备分为LP60、LP120、LP200三种规格。LP60的沉积区域为Φ60mm，可用于制备自支撑金刚石厚膜，沉积速率可达40um/h。LP100和LP200设备，在不增加输入功率的情况下，将沉积区域扩大，生长速率可达8--15um/h，主要用于沉积金刚石薄膜涂层。
设备特点：
■ 利用动态磁扩弧技术，实现了金刚石膜的大面积、均匀沉积；
■ 设备运行可靠，可长时间连续运转；
■ 沉积速率快、质量高、均匀性好；
■ 改变工艺参数，可用于沉积多种用途的金刚石膜。